產(chǎn)品分類
Products實(shí)驗(yàn)名稱:高壓放大器基于掃描式固體腔F-P干涉儀的設(shè)計與優(yōu)化中的應(yīng)用
實(shí)驗(yàn)?zāi)康模簝?yōu)化設(shè)計掃描式固體腔F-P干涉儀
實(shí)驗(yàn)設(shè)備:光源,準(zhǔn)直擴(kuò)束系統(tǒng),待測電光晶體(包含驅(qū)動),4f系統(tǒng)和CCD,信號源,ATA-2161高壓放大器,示波器。
實(shí)驗(yàn)內(nèi)容:為實(shí)現(xiàn)全天時邊界層內(nèi)大氣溫度絕對探測,即精細(xì)獲取大氣Rayleigh散射譜形,借鑒F-P干涉濾波技術(shù)和晶體的電光特性,設(shè)計了一種掃描式固體腔F-P干涉儀,測試其濾波性能并進(jìn)行優(yōu)化。
實(shí)驗(yàn)過程:如圖是搭建的透射型馬赫曾德干涉儀光路,此光路用做全息圖的記錄,主要包括以下幾個部分:光源,準(zhǔn)直擴(kuò)束系統(tǒng),待測電光晶體(包含驅(qū)動)、4f系統(tǒng)和CCD。
測量晶體內(nèi)部均勻性和折射率調(diào)制度關(guān)系的系統(tǒng)圖
電光晶體高壓驅(qū)動,函數(shù)發(fā)生器,使其產(chǎn)生一個脈沖方波信號,然后經(jīng)過ATA-2161高壓放大器使其放大,最終把放大后的信號加載到晶體上,完成晶體電光性能的測試。
電光晶體高壓模塊標(biāo)定
實(shí)驗(yàn)結(jié)果:
(1)不同電壓下CCD上記錄的全息圖
(2)不同電壓場下,對應(yīng)晶體折射率的改變量
對圖相位圖中晶體相位的改變量進(jìn)行平均處理,得到不同電壓場下,對應(yīng)的晶體的相位改變量,再由公式計算得出,不同電壓場下,對應(yīng)晶體折射率的改變量。
相位調(diào)制和折射率調(diào)制度實(shí)測值與理論值的對比